近日，国务院公布新修订的《集成电路布图设计保护条例》（国务院令第842号），将于2026年10月15日起正式施行，这是该条例自2001年颁布实施以来25年间首次全面系统修订，为国产芯片设计产业升级提供制度支撑。国家知识产权局配套同步发布《集成电路布图设计保护条例实施细则修改草案（征求意见稿）》、《集成电路布图设计审查与执法指南修改草案（征求意见稿）》，公开面向社会征求意见，为新条例落地实施提供配套操作规范。相较于2001年旧版条例，本次修订核心亮点与制度突破主要体现在五个方面：

1、新条例将保护范围延伸至光子集成电路、量子集成电路布图设计，提前为光电融合、量子芯片构建知识产权保护底座，避免前沿赛道版图成果缺乏法律保护。

2、增设独创性声明制度。新条例要求申请人在申请登记时书面明确布图设计独创性边界，固化权利保护范围，并且申请人提交的图样需清晰显示具有独创性的部分，减少后续确权与侵权纠纷争议。

3、新条例大幅加大侵权赔偿力度。对于故意侵权且情节严重的行为，可以在计算出的赔偿数额（按实际损失、侵权获利或许可费倍数确定）的1倍以上5倍以下确定赔偿额。

4、新条例特别强调了促进布图设计的运用与转化。一方面，行政部门将加强公共服务，为企业提供更便捷的信息与支持；另一方面，条例完善了转让、许可和出质的相关要求，并规范了共有人的权利行使，明确了许可费用的分配原则。

5、为了鼓励企业内部创新，新条例还特别明确，法人或非法人组织在主持创作布图设计时，应当对符合条件的创作人员给予合理的奖励和报酬，让创新者的智慧得到应有的尊重与回报。

在本次条例修订及配套细则完善过程中，中国电子信息产业发展研究院充分发挥产业智库支撑作用，深度参与规则修订研讨，依托多年来累计完成的十余起集成电路布图设计专有权侵权认定、权利无效司法鉴定实务经验，从产业侧提出多项贴合行业实际、适配产业发展的修改建议。目前，配套法规仍处于公开征求意见阶段，欢迎各相关企业结合实务工作提出优化建议，与我院研究团队开展交流对接，共同完善集成电路知识产权保护与执法体系。