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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品,采用超小型DFN0606封装,适用于移动和便携式产品应用,包括可穿戴设备。
发布时间:2020-04-24 14:59        来源:赛迪网        作者:

【赛迪网讯】半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品,采用超小型DFN0606封装,适用于移动和便携式产品应用,包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on),采用常用的0.35 mm间距,从而简化了PCB组装过程。

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PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程,这些新器件提供低导通电阻RDS(on),与竞争对手产品相比减小了60%以上,它们还具备优良的ESD性能,低至0.7 V的超低VGS电压阈值,这个参数对低驱动电压的便携式产品应用至关重要。

Nexperia产品经理Sandy Wang评论道:“新一代可穿戴设备不断突破消费电子技术的界限。智能手机、智能手表、健身跟踪器和其他创新技术的演进需要微型化MOSFET,用以提供领先的性能和效率,从而实现越来越多的复杂功能。Nexperia拥有很高产能和制造能力,能够进行扩产,以最大限度地满足市场需求。”

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