无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT IC 和绝缘栅双极晶体管（IGBT）组合在同一个模块或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，为昂贵的碳化硅（SiC）解决方案提供了具有成本效益的替代方案。

CGD 专有的 Combo ICeGaN 解决方案利用了 ICeGaN 和 IGBT 器件具有相似驱动电压范围（例如0-20V）和出色栅极稳健性的特点，让双方在并行架构中运行。由于 ICeGaN 的开关非常高效，器件在相对较低的电流（轻负载）下运行时具有低导通和低开关损耗；而在相对较高的电流（接近满载或浪涌条件）下 IGBT 可以主导，因此 Combo ICeGaN 得益于 IGBT 的高饱和电流和雪崩箝位能力和ICeGaN 的高效开关性能。还有，在较高温度下，IGBT 的双极性元件将在较低的导通电压下开始导通，补充 ICeGaN 中的电流损失。相反，在较低的温度下，ICeGaN 将吸收更多的电流。在智能的管理下，其传感和保护功能可更加优化地驱动 Combo ICeGaN，增强 ICeGaN 和 IGBT 器件的安全工作区（SOA）。

ICeGaN 技术使电动汽车工程师能够在DC-DC转换器、车载充电器（OBC）和某些潜在的牵引逆变器方案中享受 GaN 的优势。Combo ICeGaN 则将 CGD 的 GaN 技术优势进一步扩展到更大的、100kW 以上的牵引逆变器市场。CGD 的 ICeGaN IC 久经市场检验，IGBT 也已在牵引逆变器和电动汽车应用方面有着悠久而可靠的历史。CGD 还拥有专有的 ICeGaN 器件与 SiC MOSFET 并联的解决方案。更多细节已披露在IEDM paper中。CGD预计将在今年年底前推出 Combo ICeGaN 的演示板。

CGD 将参加于2025年3月16日至20日举办的APEC（应用电力电子会议和博览会）。如需了解更多联合ICeGaN 的详细信息，敬请莅临位于佐治亚州亚特兰大佐治亚世界会议中心的2039号 CGD 展位。