氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。

电力电子进入 GaN 的时代

氮化镓器件代表了电力电子领域的突破。与传统的硅基解决方案相比，它提供了更快的开关速度、更低的能耗和更紧凑的设计。CGD专有的、强大的单片集成 ICeGaN 技术简化了 GaN 在现有和渐进式设计中的执行，提供了超过99%的效率水平，在包括电动汽车和数据中心电源在内的各种高功率应用中实现了高达50%的节能。由于这些应用有望使每年节省数百万吨的二氧化碳排放，加之 ICeGaN® 技术为客户提供的固有的易用性，加速了全球向更可持续能源系统的过渡。

市场机会和卓著的口碑

全球 GaN 功率器件市场预计实现41%复合年增长率的惊人增长，到20291年将达到20亿美元。结合了高能效、小型化和单片集成的智能功能 ICeGaN® 被视为使用碳化硅（SiC）的现有解决方案的可行替代方案，并助力 CGD 进军预计到20291年超过百亿美元的高功率市场。凭借尖端技术和市场领导地位，CGD 完全有能力在这一快速扩张的市场占据有利地位。成功地赢得了行业领先客户青睐的 CGD 有能力始终如一，为客户提供可靠和有影响力的解决方案，推进行业创新。

全球扩张与未来愿景

凭借全球专家团队、数十年的研究、以及对推动 GaN 技术进步的承诺，CGD 始终如一地为市场提供解决方案，增强常用电子产品的性能。随着世界向电气化和可持续发展方向的迈进，CGD 在 GaN 技术方面的领先地位为降低能耗、降低成本和减轻环境影响提供了一条途径。通过实现高效、紧凑和高性能的功率器件，CGD 正在为可持续电力电子产品树立新的标准。

这笔资金将帮助 CGD 扩大在剑桥、北美、中国台湾和欧洲的业务，为不断增长的客户提供 CGD 独特的价值主张；并将推动实施 CGD 继续向大功率工业、数据中心和汽车市场提供高效的 GaN 产品的增长战略。