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CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录
来源:赛迪网    作者:赛迪网2024-05-30 10:42:12

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与与中国台湾工业技术研究院(ITRI)签署了谅解备忘录,以巩固为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案的合作伙伴关系、并共享市场信息、实现对潜在客户的联合访问和推广。

Andrea Bricconi | CGD 首席商务官

“我们很高兴能与ITRI合作,ITRI拥有一个电力解决方案研究团队,在开发电力解决方案方面有着非常丰富的经验和许多专利。我们将在6月在纽伦堡举行的PCIM展会上的展示ITRI的一些电路板设计。这些产品利用CGD独特的IC芯片架构和ITRI的专利设计,实现产品尺寸缩小、高效率和功率密度以及成本竞争力。” 

Wen-Tien Tsai| GEL/ITRI商用电源设计团队负责人

“CGD的IC增强型GaN ICeGaN™ 系列产品是一个新颖的平台,它提高了易用性,促进了智能温度控制,并提高了栅极可靠性。我们很高兴将这些优势纳入我们的、新颖的电源设计中。”

Yole集团宽禁带(WBG)领先分析师表示:GaN市场预计将超过10亿美元,主要增长领域在通信电源、汽车DC/DC转换器和车载充电器的应用方面。CGD和ITRI将合作设计市场上第一个采用GaN器件的商业化产品是USB-PD适配器。该协议涵盖了为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W范围的电源解决方案。

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2024-05-30 15:17
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