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2019年中国功率半导体市场规模将逾2900亿元

全球市场研究机构集邦咨询在最新的《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%,至2591亿元。其中功率分立器件市场规模为1874亿元,电源管理IC市场规模为717亿元。
发布时间:2019-03-18 09:01        来源:中国电子报        作者:中国电子报

近日,全球市场研究机构集邦咨询在最新的《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%,至2591亿元。其中功率分立器件市场规模为1874亿元,电源管理IC市场规模为717亿元。

集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年景气仍然持续向上。虽然仍受到全球贸易不稳定等因素影响,但在需求驱动下,受影响程度要小于其他IC产品。集邦咨询预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2907亿元,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。

受益于政策推动和缺货涨价的状况,2018年多家中国大陆功率半导体厂商取得亮眼的成绩,并扩大布局。其中,比亚迪微电子凭借拥有终端的优势,在车用IGBT市场快速崛起,取得中国大陆车用IGBT市场超过两成的市占率,一跃成为中国大陆销售额前三的IGBT供应商;MOSFET厂商华微电子和扬杰科技营收大增,并且逐渐导入IGBT市场。

新建与规划中的IGBT产线有士兰微厦门12英寸特色工艺产线、华润微电子在重庆建设的12英寸特色工艺产线,以及积塔半导体专业汽车级IGBT产线等。同时,多家厂商也投入研发SiC等新材料技术领域,基本半导体的SiC MOSFET已进入量产上市,而定位为代工的三安光电SiC产线已开始接单,比亚迪微电子也已研发成功SiC MOSFET,其目标是到2023年实现SiC MOSFET对硅基IGBT的全面替代。

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