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中芯长电携高通实现14纳米硅片凸块加工量产

这是继中芯长电规模量产28纳米硅片凸块加工之后,工艺技术和能力的进一步提升,中芯长电由此成为中国第一家进入14纳米先进工艺技术节点产业链并实现量产的半导体公司。
发布时间:2016-08-02 14:49        来源:人民邮电报        作者:那什

7月28日,中芯长电半导体有限公司(中芯长电)和高通共同宣布:中芯长电开始为高通提供14纳米硅片凸块量产加工。这是继中芯长电规模量产28纳米硅片凸块加工之后,工艺技术和能力的进一步提升,中芯长电由此成为中国第一家进入14纳米先进工艺技术节点产业链并实现量产的半导体公司。实现14纳米硅片凸块在国内的加工量产,是高通不断参与和推动中国集成电路产业制造水平提升的又一个重大举措,表明高通对中国市场一如既往的重视,通过优化产业链、提供本地化服务,持续增强对中国客户的综合服务能力。

我国集成电路发展战略的落地之举

14纳米中段硅片凸块加工量产对我国集成电路和制造业国家战略的推进有着重要意义。中芯长电获取的技术创新和市场拓展成果,以及中芯国际、国家集成电路产业投资基金和高通为促进中芯长电发展所提供的技术和资金支持,都是推进《国家集成电路产业发展推进纲要》和《中国制造2025》行动纲领的落地之举。

《国家集成电路产业发展推进纲要》明确提出,到2020年,16/14纳米制造工艺实现规模量产,封装测试技术达到国际领先水平,关键装备和材料进入国际采购体系,基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。可以说,此次14纳米硅片凸块的加工量产代表着最尖端的科技合作落到实处,也意味着中国围绕最先进集成电路制造技术构建的,由前段制造、中段加工和后段封装组成的完整的先进集成电路制造产业链顺利成形。

《中国制造2025》明确提出,要在集成电路领域实现突破发展,着力提升集成电路设计水平,提升封装产业和测试的自主发展能力。通过整个产业的努力,中国和国外最先进的制程工艺差距正在缩小,芯片制造的产业链也走向完整和成熟。在这个过程中,高通与中芯国际长年合作带来的引领和示范效应功不可没,2015年高通与中芯国际、华为及imec共同建立了中芯国际集成电路新技术研发公司,推进14纳米先进逻辑工艺的研发;同年由中芯国际生产的高通骁龙410处理器也开始用于商用智能手机。通过合作,高通从人力、技术力量,特别是产品规模化方面,提升了中芯国际的研发能力,并将其转换成具体的生产产能,从而进一步支持我国芯片行业的创新、制造和服务能力的提升。

半导体行业的“里程碑”式事件

此次加工量产还有助于推动我国半导体行业发展。高通积极支持、参与中国产业发展战略,让中国半导体生态系统持续发展。

支持中国合作伙伴建设领先的12英寸凸块生产线,高通兑现了支持中国本土集成电路制造产业的承诺。高通全球运营高级副总裁陈若文表示:“中芯长电14纳米凸块加工对于高通来说非常重要,并且其已开始量产,这说明中芯长电在中段凸块加工的先进工艺技术上已达到了世界一流的制造水准。我们乐于与中芯长电合作,加强我们在中国半导体供应链的布局,这体现了我们支持中国本土集成电路制造产业的承诺,并有助于我们更好地服务中国客户。”

而为高通提供14纳米凸块加工服务,也意味中芯长电具备了为像高通这样世界一流客户提供综合服务的能力。中芯长电半导体首席执行官崔东对此表示:“感谢高通的一贯支持,帮助我们成功建立了领先的、能够稳定高效量产的12英寸凸块加工生产线,并且快速地开始为客户提供量产服务。此次14纳米硅片凸块加工的量产,也是对公司和团队能力以及执行力的高度肯定,说明我们具备了为像高通这样世界一流客户提供综合服务的能力。”

据了解,中芯长电最初由中芯国际携手长电科技于2014年8月成立,2015年12月高通对其进行增资。在组建不到两年的时间内,中芯长电于2016年年初便已实现28纳米硅片凸块加工的量产,目前已实现12英寸晶圆的单月大规模出货。中芯长电在28纳米硅片凸块加工工艺上,不仅实现了业界一流的生产良好率,并在高密度铜柱凸块的接触电阻控制等关键技术指标上,达到业界领先水平,形成了独特的竞争优势。中芯长电将持续扩充12英寸硅片中段凸块加工产能,目前已具备每月2万片12英寸硅片凸块加工的生产能力。

更重要的是,去年高通对中芯长电资本注入的意向,不仅仅有助于中芯国际继续扩增28纳米产能,为消费者带来性能优异的“中国制造”骁龙处理器,还着眼于提升中国芯片企业在全球的竞争实力。正如中国半导体行业协会执行副理事长徐小田所言,中芯长电在短时间内实现了芯片制造中段的量产,填补了行业中的技术空白,为产业发展、技术进步作出了贡献。芯片产业是一个绿色环保的高科技产业,只有开放、合作才能推动中国企业和世界其他的芯片制造企业共同发展。

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