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三星发布全新850 EVO:三代技术、业界最快

容量涨这么猛,秘密就在于单芯片上支持存储容量高达32GB(256Gb)。三星的实现方式很简单,每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构设计,每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层,利用其特殊的蚀刻技术,通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit,一共存储2
发布时间:2015-09-29 16:03        来源:驱动之家        作者:驱动之家

据韩联社报道,三星今天一口气宣布了五款全新的SSD产品,除了我们刚刚介绍过的950 PRO,还有旗下首款第三代V-NAND的850 EVO

其实,三星在8月份才宣布量产第三代V-NAND,准确地说是48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片,没想到这么快就拿出了成品。

首发的850 EVO有三种存储规格,1TB、500GB和256GB

容量涨这么猛,秘密就在于单芯片上支持存储容量高达32GB(256Gb)。三星的实现方式很简单,每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构设计,每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层,利用其特殊的蚀刻技术,通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit,一共存储256Gb数据。

虽然在48层的技术首发上晚于东芝,但三星率先拿出了最终产品,而东芝只是说准备好好量产了

目前还不了解这款产品的具体参数,但三星表示这将是业内最快(在SSD快看腻了)、极省电的本月就将在全球50多个国家发售,中国也有份

三星发布全新850 EVO:三代技术、业界最快

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