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海力士推UFS 2.0高速闪存:780MB/s

SK海力士宣布,已经开发出基于自家16nm NAND闪存和自家固件、控制器的UFS 2.0标准存储方案,容量有16GB、32GB、64GB、128GB等多种选择,专为当今旗舰手机打造
发布时间:2015-07-10 09:18        来源:驱动之家        作者:驱动之家

三星Galaxy S6第一个用上了UFS 2.0标准的存储方案,事实证明它确实比传统的eMMC方案性能好得多,而且更具发展潜力。

今天,SK海力士宣布,已经开发出基于自家16nm NAND闪存和自家固件、控制器的UFS 2.0标准存储方案,容量有16GB、32GB、64GB、128GB等多种选择,专为当今旗舰手机打造。

其中,32GB、64GB已经开始出货,16GB的本季度内供应,128GB第四季度跟上。

性能方面,海力士宣称持续读取速度可高达780MB/s(SATA固态硬盘也望尘莫及啊),持续写入也能有160MB/s,而随机读写最高分别为32000 IOPS、17000 IOPS,其中读取速度相当于eMMC 5.1的大约三倍。

UFS 2.0支持High-Speed Gear 3高速接口和双数据通道,还引入了固态硬盘里的Command Queue(指令队列)技术,可同时操作读写指令,避免多任务瓶颈,提高数据传输效率,功耗也低于eMMC。

市调机构IHS预计,UFS今年能在移动存储市场上占据4%的份额,2017年迅速提升到23%,2019年可达49%。

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