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全球首款4Gb容量NOR闪存颗粒亮相

4Gb容量NOR

近日,Spansion(飞索)发布了全球第一款采用单内核设计、4Gb(512MB)容量的NRO闪存芯片,名为4Gb Spansion GL-S。
发布时间:2011-08-23 04:43        来源:        作者:云中子
【赛迪网讯】近日,Spansion(飞索)发布了全球第一款采用单内核设计、4Gb(512MB)容量的NRO闪存芯片,名为4Gb Spansion GL-S。通过高速读取以及出色的质量保证,协助游戏及汽车应用提供更完美的交互图像、动画及视频服务性能。

这种新型4Gb闪存芯片隶属于Spansion GL-S系列(之前容量128Mb-2Gb),采用65nm工艺制造,并融入了Spansion独有的MirroBit电荷捕获储存专利技术,温度范围0-85℃。 Spansion宣称其页面模式读取速度可达98.5MB/s,比竞争对手类似方案的67.4MB/s快了大约45%,同时根据第三方测试,编程速度也要快30%左右。 Spansion 4Gb GL-S NOR将于本月试产,第四季度投入量产。这款产品非常适用于手持消费游戏、游戏盒、手持学习设备、如街机游戏、资讯站等产业娱乐设备以及车载信息娱乐系统等应用。

责任编辑:云中子

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