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速度快10倍 三星推出Toggle DDR 2.0闪存

近日,三星宣布将在全球率先量产采用Toggle DDR 2.0标准的20纳米级超高速MLC NAND Flash。
发布时间:2011-05-16 04:45        来源:        作者:云中子
【赛迪网讯】近日,三星宣布将在全球率先量产采用Toggle DDR 2.0标准的20纳米级超高速MLC NAND Flash。

Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特点,能够实现400Mbps数据处理速度,比通用NAND Flash快10倍。而相比之下,目前大量应用的DDR 1.0标准为133Mbps,普通SDR NAND闪存仅为40Mbps。 而应用方面,Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出能够扩大4G智能手机、平板电脑、SSD等高速NAND市场,同时带来速度的提升。 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash更适合用来搭载比现有速度快一倍的USB 3.0接口,有望成为SATA 6Gbps等下一代接口、大容量产品上最合适的NAND Flash方案。

责任编辑:云中子

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