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三星与海力士纷纷提升NAND Flash芯片产量

由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
发布时间:2011-05-06 13:24        来源:        作者:赛迪网
【赛迪网讯】据了解,由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据韩国电子新闻报导,三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bit Growth)各评估为80%以上及100%以上。三星和海力士2011年DRAM位元成长率各为60%以上及40%中段,因而相对增加快闪存储器出货量比重。 三星将会先在京畿道华城的存储器芯片新工厂16产在线生产NAND Flash。该厂将于2011年下半首次投入量产。 海力士2011年投资额为3.4兆韩元,大部分将使用在位于忠清北道清州M11 NAND Flash厂。海力士4月28日法说会中表示,M11工厂2011年第1季末每月产量10万片,NAND Flash产量较当初计划的成长速度还快。 海力士原先计划年底前将M11厂的产量提升至每月10万片,海力士在第1季即已达到年度目标。海力士2011年下半将根据市场情况,将M11工厂最大产量提升至每月12万片。 韩国业界表示,主要需求NAND Flash的智能型手机和平板计算机市场2011年大展鸿图,以NAND Flash为基础的计算机储存装置固态硬盘(SSD)市场也将于2011年展开,目前市场环境已逐渐成形,即使NAND Flash产量增加,市场也能吸收。

(责任编辑:刘璨)

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