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NAND闪存合同价格出现日本地震后第二次上涨

据台湾集邦科技股份有限公司周一发布的报告称,用于移动设备中的NAND闪存芯片的合同价格本月出现第二次上涨,
发布时间:2011-03-29 07:31        来源:        作者:天虹
【赛迪网讯】3月29日消息,据国外媒体报道,据台湾集邦科技股份有限公司周一发布的报告称,用于移动设备中的NAND闪存芯片的合同价格本月出现第二次上涨,反应了DRAM内存芯片价格上涨的情况。 截止到本周一,16GB 2Gx8多层单元NAND闪存芯片的合同价格从3月16日的2.19美元上涨到了3.74美元。这个价格反弹到了去年10月存储芯片价格开始下降前的水平。 NAND闪存芯片价格每个月发布两次。最新发布的NAND闪存价格是自从3月11日袭击日本东北部地区的地震发生以来的第二次上涨。 在三月早些时候,由于地震引起主要日本芯片厂商停产,NAND闪存的合同价格出现了五个月以来的最大涨幅,比2月份下半月的价格上涨了4.57%。用于数码相机和其它便携式设备的其它类型的NAND闪存芯片价格在3月份的下半月也上涨了4.59%。 上个星期,DRAM内存芯片价格在3月下半月也出现了反弹,是10个月里首次改变价格下降的趋势。 NAND闪存芯片价格的上涨表明,由于日本继续难以实现运输和供电正常化,人们担心关键的组件供应不足会导致芯片供应紧张。
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